Samsung Electronics, yüksek bant genişlikli bellek teknolojilerinde yeni nesli temsil eden HBM4’ün seri üretimine başladığını ve ticari sevkiyatları gerçekleştirdiğini duyurdu. Sektörde bir süredir şirketin seri üretime çok kısa süre içinde başlayacağı ve ilk çeyrekte de sevkiyatlara geçeceği iddia ediliyordu. Nitekim resmi duyuru ile tüm bilgiler doğrulanmış oldu. Samsung, bu hamleyle sektörde bir ilke imza atarak HBM4’ü ticarileştiren ilk üretici konumuna yükseldi ve pazarda erken liderlik avantajı elde etti. Yeni nesil bellek çözümü, özellikle hızla büyüyen yapay zeka iş yükleri ve ölçeklenen veri merkezi altyapıları için tasarlandı. Samsung, HBM4 üretiminde en gelişmiş üretim süreçlerini devreye alarak performans, enerji verimliliği ve güvenilirlik alanlarında çıtayı yukarı taşıdığını vurguluyor.
Yeni nesil çözümün, özellikle Nvidia’nın Vera Rubin mimarisi ve AMD’nin Instinct MI450 serisi gibi güçlü veri merkezi yongalarında benimsenmesi bekleniyor.
11,7 Gbps standart Hız, 13 Gbps’ye kadar ölçeklenebilir
Samsung’un HBM4 çözümü, sabit 11,7 gigabit/saniye (Gbps) veri aktarım hızına ulaşıyor. Bu değer, sektörde referans alınan 8 Gbps seviyesinin yaklaşık yüzde 46 üzerine çıkıyor. Aynı zamanda, bir önceki nesil HBM3E’nin 9,6 Gbps’lik maksimum pin hızına kıyasla 1,22 katlık performans artışı anlamına geliyor. Aynı zamanda HBM4’ün performansı gerektiğinde 13 Gbps seviyesine kadar yükseltilebiliyor. Bellek bant genişliği tarafında da ciddi bir sıçrama söz konusu. Tek bir HBM4 yığını (stack) başına toplam bant genişliği, HBM3E’ye kıyasla 2,7 kat artarak 3,3 terabayt/saniye (TB/s) seviyesine ulaşıyor.
Bu değer, özellikle GPU hızlandırmalı yapay zeka eğitim ve çıkarım (inference) senaryolarında büyük önem taşıyor.
Gelişmiş üretim süreçleri kullanıldı
Samsung, HBM4 üretiminde geleneksel ve kanıtlanmış tasarımları yeniden kullanmak yerine doğrudan en ileri üretim süreçlerini tercih etti. Bellek tarafında şirketin 6. nesil 10 nanometre sınıfı (1c) DRAM süreci, mantık tabanında ise 4 nanometre üretim teknolojisi kullanıldı.
Şirket, bu ileri süreçleri seri üretim aşamasında ek bir yeniden tasarım ihtiyacı olmadan devreye aldığını ve baştan itibaren istikrarlı verim oranları ile sektör lideri performans elde ettiğini belirtiyor.
Samsung, HBM4’ü 12 katmanlı (12-Hi) yığın teknolojisiyle 24 GB ile 36 GB arasında kapasite seçenekleriyle sunuyor. Şirket, müşteri takvimlerine paralel olarak kapasiteyi daha da artırmayı planlıyor. Bu kapsamda devreye alınacak 16 katmanlı (16-Hi) yığın tasarımı, kapasiteyi 48 GB seviyesine taşıyacak.
HBM4 ile birlikte veri I/O sayısı da 1.024 pinden 2.048 pine çıkarıldı. Bu artış performans açısından önemli bir kazanım sağlarken, güç tüketimi ve ısıl yönetim tarafında yeni mühendislik çözümlerini de zorunlu kıldı.
Samsung, çekirdek kalıpta gelişmiş düşük güç tasarım teknikleri uyguladığını belirtiyor. Ayrıca düşük voltajlı Through-Silicon Via (TSV) teknolojisi ve güç dağıtım ağı (PDN) optimizasyonu sayesinde HBM3E’ye kıyasla yüzde 40 daha yüksek enerji verimliliği elde edildi. Isıl performans tarafında ise termal direnç yüzde 10 oranında iyileştirilirken, ısı dağılım kapasitesi yüzde 30 artırıldı.
HBM4E ve özel HBM’ler yolda
Şirket, küresel GPU üreticileri ve yeni nesil ASIC geliştiren Google ve Amazon gibi hiper ölçekleyici firmalarla teknik iş birliklerini genişletmeyi planlıyor. Talep projeksiyonlarına göre Samsung, HBM satışlarının 2026 yılında 2025’e kıyasla üç kattan fazla artmasını bekliyor ve HBM4 üretim kapasitesini şimdiden artırıyor. HBM4’ün pazara sunulmasının ardından HBM4E için örneklemelerin 2026’nın ikinci yarısında başlaması planlanıyor. Müşteri ihtiyaçlarına özel geliştirilecek özel HBM çözümlerinin numuneleri ise 2027 itibarıyla sevk edilmeye başlanacak. Samsung, detayları daha önceki haberimizde aktardığımız özel HBM çözümlerini cHBM ve zHBM olarak adlandırıyor.
Samsung HBM4 öne çıkanlar ve teknik özellikler
- 10nm sınıfı (1c) DRAM üretim teknolojisi
- 4nm mantık kalıbı üretim süreci
- 11,7 – 13,0 Gbps pin hızları
- Yığın başına 3,3 TB/s bant genişliği
- 12-Hi tasarımda 24-36 GB kapasite
- 16-Hi tasarımda 48 GB kapasite
- 2.048 pin I/O mimarisi
- HBM3E’ye kıyasla yüzde 40 enerji verimliliği artışı
- HBM3E’ye göre yüzde 10 daha iyi termal direnç
- HBM3E’ye göre yüzde 30 daha yüksek ısı dağılımı
- HBM4’te seri üretim ve sevkiyatların başlaması
- HBM4E için örneklemeler 2026’nın ikinci yarısında
